Há rumores de que o Samsung Galaxy Tab S10 Fe continua, incluindo o Vanilla Galaxy Tab S10 Fe e o Galaxy Tab S10 Fe+. Antes de seu lançamento previsto este ano, as marcas de referência do modelo básico são encontradas on -line, a próxima linha de tablets da empresa. Diz -se que este modelo é operado por um Samsung Exinos Chipsette, que oferece desempenho 32 % melhor do que seus antecessores.
Samsung Galaxy Tab S10 FE Marcas de benchmark vazadas vazadas
Há um dispositivo com o número do modelo “SM-X520” Está listado No keegbench (Por Gsmarena). Embora não carregue nenhum Monker, o suposto dispositivo especula que o Samsung Galaxy S10 Fay. Possui um chipset octa-core, que possui uma arquitetura de Mand V8, que possui quatro núcleos de desempenho embrulhados em uma velocidade de 1,95 GHz, cobertos por dois núcleos médios de 2,60 GHz e um núcleo principal de 2,91 GHz.
Samsung Galaxy Tab S10 FE de KeyBean Scores
A suposta guia Galaxy Samsung está listada com cerca de 7,49 GB de RAM, que pode ser circulada para 8 GB no modelo básico quando a introdução é. O telefone está listado como Android 15 em operação e possui uma placa -mãe com “S5E8855” como identificador. Os vazamentos anteriores podem ser um processador de 4 nm introduzido como sucessor do chip Eginos 1580, a Samsung Foundry em outubro de 2024 como sucessor do Exenos 1480.
As marcas de referência para o suposto tablet nos dão a idéia do que esperar do aparelho com base no desempenho. Em 6.4.0 para Android Aarch64, possuía 1.349 e 3.882 marcas únicas e multi -core, respectivamente. Comparado ao Galaxy Tab S9 atual Marcas Cerca de 1.013 no centro único e 2.944 em testes multi -core. É traduzido para um aumento de cerca de 32 % do desempenho.
No entanto, os detalhes do lançamento da série Samsung Galaxy Tab S10 Fe ainda não foram revelados. Significativamente, o Instituto de Tecnologia da Coréia do Sul não aderiu ao ciclo anual de saída com seus modelos de tablets padrão, lançado em julho de 2023 pelo Galaxy Tab em julho de 2023 e seu sucessor em setembro de 2024.
